Простий пошук
Розширений пошук
Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка
Тематичний інтернет-навігатор
Наукова електронна бібліотека
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
Пошуковий запит: (<.>A=Krasnov A$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 11
Представлено документи з 1 до 11
      
Категорія:    
1.

Legotin S. A. 
Monolithic silicon photodetector - detector of ionizing radiation based on functional integrated MOS structures / S. A. Legotin, V. N. Murashev, S. I. Didenko, O. I. Rabinovich, D. S. Elnikov, A. A. Krasnov, M. A. Bazalevsky, G. I. Koltsov, K. A. Kuzmina // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2014. - 6, № 3. - С. 03020-1-03020-4. - Бібліогр.: 17 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В381.54

Рубрики:
 Детектори випромінювання Вавілова-Черенкова (черенківські лічильники і спектрометри) 

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
2.

Murashev V. N. 
Thermal and magnetic field sensors based on injection-coupled devices / V. N. Murashev, S. A. Legotin, P. A. Ivshin, K. I. Tapero, O. I. Rabinovich, D. Elnikov, A. A. Krasnov, K. A. Kuz'mina // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2014. - 6, № 3. - С. 03021-1-03021-4. - Бібліогр.: 11 назв. - англ.

Operation principle and possible applications of a novel type of silicon integrated circuit (IC) device - injection-coupled device (ICD) - are addressed. Examples of possible ICD electrical and physical designs are examined in detail. These are based on the existing CMOS and use bipolar technologies. It is shown that in active mode only one cell of ICD-based sensor chain consumes power. This circumstance enables one to achieve an extraordinarily low power consumption compared to the CMOS ICs. This is because the power consumption of an ICD as a whole is not different of that of a single cell in its IC matrix. These advantages make ICDs highly attractive for a number of important applications, such as, e.g., radiation detectors or magnetic and thermal field detectors.


Індекс рубрикатора НБУВ: З965-044.3

Рубрики:
 Автоматика 

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
3.

Murashev V. N. 
Peculiarities of betavoltaic dattery based on Si / V. N. Murashev, V. N. Mordkovich, S. A. Legotin, O. I. Rabinovich, A. A. Krasnov // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2014. - 6, № 4. - С. 04012-1-04012-2. - Бібліогр.: 10 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: З251.2

Рубрики:
 Гальванічні елементи та батареї 

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
4.

Murashev V. N. 
Investigation of the irradiation influence with high-energy electrons on the electrical parameters of the IGBT-transistors / V. N. Murashev, M. P. Konovalov, S. A. Legotin, S. I. Didenko, O. I. Rabinovich, A. A. Krasnov, K. A. Кuzmina // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2015. - 7, № 1. - С. 01011(3). - Бібліогр.: 7 назв. - англ.

The results of studies of the effectiveness of the radiation method for control the characteristics of the IGBT transistors are shown. Experimental results on the effect of irradiation with high-energy electrons with an energy of 6 MeV for dynamic and static parameters of the IGBT transistors of company International Rectifier IRGB14C40L are discussed.


Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3

Рубрики:
 Напівпровідникові тріоди (кристалічні тріоди, транзистори) 

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
5.

Yurchuk S. Yu. 
Simulation the beta power sources characteristics / S. Yu. Yurchuk, S. A. Legotin, V. N. Murashev, A. A. Krasnov, Yu. K. Omel'chenko, Yu. V. Osipov, S. I. Didenko, O. I. Rabinovich // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2015. - 7, № 3. - С. 03014-1-03014-5. - Бібліогр.: 17 назв. - англ.

In this paper the simulation of silicon beta-stimulated power sources spectral sensitivity characteristics was carried out. It was analyzed the influence of the semiconductor material characteristics (the doping level, lifetime) and power supply design on the photosensitive structures characteristics in order to optimize them.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 в641

Рубрики:
 Фізика напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
6.

Krasnov A. A. 
Optimization of energy conversion efficiency betavoltaic element based on silicon / A. A. Krasnov, S. A. Legotin, Yu. K. Omel'chenko, S. I. Didenko, V. N. Murashev, O. I. Rabinovich, S. Yu. Yurchuk, V. P. Yaromsky, A. V. Popkova // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2015. - 7, № 4. - С. 04004-1-04004-4. - Бібліогр.: 13 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 + З251.2

Рубрики:
 Фізика напівпровідників 
 Гальванічні елементи та батареї 

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
7.

Urchuk S. U. 
The current-voltage characteristics simulation of the betavoltaic power supply / S. U. Urchuk, A. A. Krasnov, S. A. Legotin, S. I. Didenko, V. N. Murashev, U. C. Omel'chenko, U. V. Osipov, O. I. Rabinovich, A. V. Popkova // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2015. - 7, № 4. - С. 04005-1-04005-5. - Бібліогр.: 13 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + З251.2

Рубрики:
 Дефекти напівпровідників 
 Гальванічні елементи та батареї 

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
8.

Legotin S. A. 
The spectral sensitivity characteristics simulation of the silicon p - i - n-structure with high resistance "wells" / S. A. Legotin, V. N. Murashev, S. Yu. Yurchuk, V. P. Yaromskiy, V. P. Astahov, K. A. Kuz'mina, O. I. Rabinovich, D. S. El'nikov, U. V. Osipov, A. A. Krasnov, S. I. Didenko // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2015. - 7, № 4. - С. 04017-1-04017-2. - Бібліогр.: 4 назв. - англ.

In the paper a simulation program for photovoltaic parameters of semiconductor devices and results of their investigation are presented. The results of the program usage based on an example of calculating the influence of the high-resistance "well" thickness in the silicon p - i - n-diode spectral response are discussed. For the accuracy of the program estimation it was compared the theoretical spectral characteristics of a silicon PIN-diode 5 kOhm substrate with the experimental data.


Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2 + В379.271.21

Рубрики:
 Напівпровідникові діоди 
 р-n переходи 

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
9.

Starkov V. V. 
Microchannel structures of betavoltaic silicon convertors / V. V. Starkov, S. A. Legotin, A. A. Krasnov, V. N. Murashev, Yu. K. Omel'chenko, O. I. Rabinovich, A. S. Laryushkin // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2015. - 7, № 4. - С. 04047-1-04047-2. - Бібліогр.: 9 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: З251.2

Рубрики:
 Гальванічні елементи та батареї 

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
10.

Didenko S. I. 
AlGaN heterostructure optimization for photodetectors / S. I. Didenko, O. I. Rabinovich, S. A. Legotin, I. V. Fedorchenko, A. A. Krasnov, Yu. V. Osipov, M. S. Melnik, K. A. Sergeev // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2016. - 8, № 3. - С. 03036-1-03036-4. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.


Індекс рубрикатора НБУВ: В371.212 + З854

Рубрики:
 Напівпровідникові наноструктури 
 Фотоелектричні прилади.Фотоелементи 

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
11.

Yakimov E. B. 
Prediction of betavoltaic battery output parameters based on SEM measurements / E. B. Yakimov, M. A. Polikarpov, A. A. Krasnov // Журн. нано- та електрон. фізики. - 2016. - 8, № 4 (ч. 2). - С. 04062-1-04062-3. - Бібліогр.: 14 назв. - англ.

The approach for the prediction of betavoltaic battery output parameters based on EBIC investigations of semiconductor converters of beta-radiation energy into electric power is presented. Using this approach the parameters of battery based on porous Si are calculated. These parameters are compared with those of battery based on a planar Si p-n junction.


Індекс рубрикатора НБУВ: З852

Рубрики:
 Напівпровідникові прилади 

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського